




对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-o2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时,四---碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433,高纯四---碳, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四---碳的溶氧性---,因此被科学家用于超---潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功,在275米到366米的---内,小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四---碳生产技术与产品仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,高纯气高纯氧的混合气,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟---甲1烷与---1氢反应,或四氯1化碳与---银反应,或四氯1化碳与---1氢反应,都能生成四---碳。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅,随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,cf4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。以活性炭与氟为原料经---反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
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