




对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-o2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时,四---碳具有单斜的结构,工业四---碳厂家,晶格常数为a = 8.597,东莞四---碳, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm),四---碳供应商, β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
---4碳与---1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-h2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。
高纯四---碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域,可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等离子蚀刻气体。此外,高纯四---碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四---碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺,四---碳价钱,也用作激---体,用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四---碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化后,随后通过硅胶干燥塔得到产品。
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