高浓度四---碳-武汉四---碳-安徽谱纯

对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时，四---碳价格，四---碳具有单斜的结构，高浓度四---碳，晶格常数为a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘，碱洗除去hf、cof2、sif4、co2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，武汉四---碳，除去o2、n2、h2，得到高纯cf4。因为四---碳和四---1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四---碳的热稳定性---。